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无线充电电路图,无线充电原理-KIA MOS管
无线充电的实现通常需要两个线圈，一个是置于充电平台中的发射线圈，另一个是置于电子设备内的接收线圈。当一个变化的电流通过充电平台的发射线圈时，线圈内会产生一个变化的磁场。在电子设备靠近充电平台后，接收线圈会产生感应电流，并且通过电路系统转换为直...www.kiaic.com/article/detail/5706.html 2025-06-05
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电源转换器专用,400vmos管,KNP6140S场效应管参数-KIA MOS管
大功率场效应管KNP6140S漏源击穿电压400V，漏极电流11A，专为高压、高速功率开关应用设计；极低导通电阻RDS(on)=0.53Ω，低栅极电荷15.7nC，可最大限度地减少导电损失，高效低耗；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；广泛应...www.kiaic.com/article/detail/5705.html 2025-06-04
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mmbt5401参数,引脚图,mmbt5401资料手册-KIA MOS管
MMBT5401高压PNP双极晶体管，该器件设计为通用放大器和开关，用于需要高电压的应用。采用SOT-23封装，专为低功耗表面贴装应用而设计。www.kiaic.com/article/detail/5704.html 2025-06-04
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数字电位器原理,电路图分享-KIA MOS管
当按下其中一个键（用力按下S1，轻轻按下S2）时，IC2d的输出会改变状态，从而使时钟发生器和IC1（通过IC2b）使能。然后，电容C1通过R1和R2充电，直到IC2a的输入电平变为低电平，此时连接到IC1时钟输入的栅极输出改变状态（从低到高）。www.kiaic.com/article/detail/5703.html 2025-06-04
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充电桩mosfet,1000v场效应管,KNF45100A参数引脚图-KIA MOS管
KNF45100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流6A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快，高效低耗；快速恢复体二极管、符合RoHS、高坚固性，稳定可靠；适用于备用电源，充电桩、适配器等...www.kiaic.com/article/detail/5702.html 2025-05-29
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占空比计算公式,pwm占空比详解-KIA MOS管
脉冲高电平持续时间（Ton）：是脉冲信号处于高电平状态的时间。脉冲周期（T）：是脉冲信号从开始到重复出现所需的时间长度（即：高电平时间+低电平时间）。www.kiaic.com/article/detail/5701.html 2025-05-29
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充放电模块电路原理图,作用详解-KIA MOS管
当外部电源接入模块输入端时，充电管理IC将输出一定的电流和电压来给电池充电。同时，通过内部的电路保护功能，监测电池电压、温度、充电状态等参数，保证充电的安全、快速、准确和稳定。www.kiaic.com/article/detail/5700.html 2025-05-29
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电源管理mos管,60v150a,2706场效应管,KNB2706A参数-KIA MOS管
KNB2706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；快速开关切换，高效低耗；高坚固性、100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用；封装形式...www.kiaic.com/article/detail/5699.html 2025-05-28
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继电器和mos管开关选择,区别应用-KIA MOS管
MOS管：电压/电流承载能力弱，但耗能低，开关速度快，寿命长，12V/48V低压辅助电池的 BMS。继电器：开关速度慢，寿命短，但电压/电流承载能力强，适用于400V/800V BMS。www.kiaic.com/article/detail/5698.html 2025-05-28
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充电mos管,mos管双向充电电路原理图-KIA MOS管
正向充电：当控制输出为高电平时，Q1的栅源电压Vgs大于阈值电压Vth，Q1导通。此时，A点电位降低，B点电压为VIN减去二极管导通电压，Q2的栅源电压Vgs小于阈值电压Vth，Q2不导通。因此，电流从VIN经过Q1流向VOUT。www.kiaic.com/article/detail/5697.html 2025-05-28
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pwm专用mos管,3903mos管,30v85a,KND3903A参数-KIA MOS管
pwm专用mos管KND3903A漏源击穿电压30V，漏极电流85A，极低导通电阻RDS(开启) 3.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；低Crrs、快速切换，高效低耗；100%经雪崩测试、提升dv/dt性能，稳定可靠；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用；封装形式：TO-...www.kiaic.com/article/detail/5696.html 2025-05-27
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隔离变压器,变压器的工作原理,原理图-KIA MOS管
隔离变压器是指输入端和输出端电气上完全隔离的变压器，它的隔离是隔离电气的意思。原理是利用变压器的电磁感应原理，通过磁场耦合将输入端和输出端的电路隔离开来。因它的次级不和大地相连，没有电位差，起到了隔离的作用，是一种安全电源。www.kiaic.com/article/detail/5695.html 2025-05-27
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dfn,MOS管DFN8封装图,封装尺寸-KIA MOS管
DFN封装是一种无引脚的封装形式，采用双边或方形扁平无铅封装，仅两侧有焊盘。DFN8表示焊盘数是8个，典型主体尺寸长度通常介于2-7mm，焊盘间距通常为0.5-0.95mm，特点是灵活性高，常用于集成电路芯片的封装。www.kiaic.com/article/detail/5694.html 2025-05-27
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充电器mos管,4406场效应管,12a30vmos管,KNE6303A参数-KIA MOS管
充电器mos管?KNE6303A漏源击穿电压30V，漏极电流12A，先进的沟槽加工技术，超低导通电阻的高密度电池设计，??导通电阻RDS(开启) 8mΩ，高效低耗；改进的dv/dt能力、?完全表征的雪崩电压和电流，稳定可靠；100% EAS保证、绿色设备，环保可靠；适用于充电器、...www.kiaic.com/article/detail/5693.html 2025-05-26